En la Conferencia sobre Tecnología Global inaugural de hoy, GLOBALFOUNDRIES reveló los últimos detalles de su progreso en el desarrollo de tecnología para la generación de tecnología con una potencia de 28 nanómetros (nm) y superior. La compañía anunció la incorporación de nuevos ofrecimientos tecnológicos basados en su tecnología de compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (High-K Metal Gate, HKMG) de 28 nm y difundió por primera vez sus plazos de fabricación para el nodo de 22/20 nm.
'Desde el principio, nuestra visión ha sido ser líderes en tecnología dentro de la industria de la fundición', expresó Gregg Bartlett, vicepresidente sénior de Tecnología e Investigación y Desarrollo de GLOBALFOUNDRIES. 'Aumentamos el volumen de producción en la generación de 45/40 nm, claramente por delante de todas las fundiciones, y estamos listos para mantener este liderazgo en 32/28 nm, con planes de extenderlo al nodo de 22/20 nm. Al aprovechar nuestra tradición exclusiva en cuanto a fabricación de vanguardia y mejores prácticas de fundición, brindamos a nuestros clientes la posibilidad de que logren el tiempo de lanzamiento al mercado más rápido para sus diseños de próxima generación'.
Alto rendimiento 'Plus' de 28 nm
GLOBALFOUNDRIES presenta hoy una nueva tecnología para abordar el creciente mercado de dispositivos móviles inteligentes y procesadores de alto rendimiento que requieren más de 2 GHz de potencia de procesamiento. Programado para comenzar la producción de riesgo en el cuarto trimestre de 2011, la tecnología de alto rendimiento Plus (High Performance Plus, HPP) proporciona una mejora de rendimiento de hasta un 10% sobre la actual oferta de alto rendimiento de la compañía, que es de 28 nm; también ofrece transistores con un nivel ultra bajo de pérdida de energía y memorias estáticas de acceso aleatorio (Static Random Access Memory, SRAM) que extienden el rango de aplicación desde alto rendimiento a baja potencia. Además, también está disponible una abundante oferta de semiconductores complementarios de óxido metálico de radiofrecuencia (Radio Frequency Complementary Metal Oxide Semiconductors, RF CMOS), lo que hace a esta tecnología una plataforma ideal para la próxima generación de diseños de sistemas en un chip (system-on-chip, SoC) de alto rendimiento, con un amplio mercado potencial que va desde dispositivos de baja potencia hasta de alto rendimiento.
La nueva tecnología HPP de 28 nm completa las ofertas de 28 nm de GLOBALFOUNDRIES, que incluye la tecnología de alto rendimiento de 28 nm dirigida a aplicaciones de cableados de alto rendimiento y la tecnología de potencia extra bajo (Super Low Power, SLP) para aplicaciones móviles sensibles a la potencia y para consumidores. Todas las tecnologías de 28 nm cuentan con un innovador enfoque de primera compuerta a HKMG de GLOBALFOUNDRIES. El enfoque es superior a otras soluciones de 28 nm de HKMG, tanto en cuanto a escalabilidad como a manufacturabilidad, ya que ofrece un costo y un tamaño de área física sustancialmente menor, como también compatibilidad con los elementos de diseño y flujos de proceso probados de nodos tecnológicos anteriores.
Actualmente GLOBALFOUNDRIES acepta diseños para sus tecnologías de 28 nm. Muchos diseños para clientes ya han sido validados con silicio y muchos más chips de prueba de producto y de protocolo de Internet (Internet Protocol, IP) están siendo validados en la planta 1 de GLOBALFOUNDRIES en Dresde, Alemania.
El camino hacia la potencia 22/20 nm
Para ver el texto completo, visite http://www.afp.com/afpcom/es/content/partners/bsw/thursday/20100902006676r1
Contacto
GLOBALFOUNDRIESJason Gorss, 518-305-9022Comunicacionesjason.gorss@globalfoundries.com
Este no es material editorial de AFP, y la AFP no se responsabiliza por la exactitud de su contenido. En caso de dudas sírvase contactar a la persona mencionada en el texto del comunicado.
Fin del comunicado de prensa de Business Wire
-
- AFP - Todos los derechos reservados. Está prohibido todo tipo de reproducción sin autorización.
Ver agora »
